型号: CSD88584Q5DCT
功能描述: MOSFET 40V POWERBLOCK N CH MOSFET
制造商: Texas Instruments
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSON-CLIP-22
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: -
Rds On-漏源导通电阻: 680 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 137 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 12 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: CSD88584Q5DC
商标: Texas Instruments
下降时间: 17 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 24 ns
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 53 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
单位重量: 100.600 mg
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