型号: CTLDM8120-M832DS TR
功能描述: MOSFET DUAL N-CHANNEL
制造商: Central Semiconductor Corp
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: 2 个 P 沟道（双）
FET 功能: 标准
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 860mA（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 150 毫欧 @ 950mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 3.56nC(4.5V)
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 200pF @ 16V
功率 - 最大值: 1.65W
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-TDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: TLM832DS
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：骆小姐，周小姐，高先生，曹先生
电话：18124020586
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：王先生
电话：13683302275
Q Q:
联系人：小郭
电话：13686402586
Q Q:
联系人：石晓强
电话：17637265290
Q Q:
联系人：朱春游
电话：18902310817
Q Q:
