型号: CTLDM8120-M832DS TR
功能描述: MOSFET DUAL N-CHANNEL
制造商: Central Semiconductor Corp
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: 2 个 P 沟道（双）
FET 功能: 标准
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 860mA（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 150 毫欧 @ 950mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 3.56nC(4.5V)
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 200pF @ 16V
功率 - 最大值: 1.65W
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-TDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: TLM832DS
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