型号: CXDM6053N TR
功能描述: MOSFET 60Vds N-Ch Enh FET 20Vgs 5.3A 1.2W
制造商: Central Semiconductor
制造商: Central Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-89
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 5.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 8.8 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.2 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: CXDM
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Central Semiconductor
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
零件号别名: CXDM6053N PBFREE TR
单位重量: 130.500 mg
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