型号: CXT5551E TR
功能描述:
制造商: Central Semiconductor
晶体管类型： NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 600mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 220V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 100mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 120 @ 10mA，5V
功率 - 最大值： 1.2W
频率 - 跃迁： 300MHz
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-243AA
供应商器件封装： SOT-89
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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