型号: CXT5551E TR
功能描述:
制造商: Central Semiconductor
晶体管类型： NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 600mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 220V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 100mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 120 @ 10mA，5V
功率 - 最大值： 1.2W
频率 - 跃迁： 300MHz
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-243AA
供应商器件封装： SOT-89
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
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联系人：王小姐
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Q Q:
联系人：黄
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联系人：黄先生
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Q Q:
