型号: CY14B104L-BA25XIT
功能描述:
制造商: Cypress Semiconductor
存储器类型： 非易失
存储器格式： NVSRAM
技术： NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量： 4Mb （512K x 8）
写周期时间 - 字，页： 25ns
访问时间： 25ns
存储器接口： 并联
电压 - 电源： 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 48-TFBGA
供应商器件封装： 48-FBGA（6x10）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：陈春宇
电话：13929885506
Q Q:
联系人：夏
电话：13682303540
Q Q:
联系人：林小姐
电话：13543297313
Q Q:
