型号: CY14B104L-ZS25XIT
功能描述:
制造商: Cypress Semiconductor
存储器类型： 非易失
存储器格式： NVSRAM
技术： NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量： 4Mb （512K x 8）
写周期时间 - 字，页： 25ns
访问时间： 25ns
存储器接口： 并联
电压 - 电源： 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装： 44-TSOP II
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13360063783
Q Q:
联系人：宁佐彪
电话：13437393817
Q Q:
联系人：陈孝兵
电话：18319381531
Q Q:
联系人：洪先生
电话：13112574139
Q Q:
