型号: CY14B104NA-BA45XE
功能描述:
制造商: Cypress Semiconductor
存储器类型: 非易失
存储器格式: NVSRAM
技术: NVSRAM(非易失性 SRAM)
存储容量: 4Mb (256K x 16)
写周期时间 - 字,页: 45ns
访问时间: 45ns
存储器接口: 并联
电压 - 电源: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 125°C(TA)
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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