型号: CY14B104NA-BA45XE
功能描述:
制造商: Cypress Semiconductor
存储器类型： 非易失
存储器格式： NVSRAM
技术： NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量： 4Mb （256K x 16）
写周期时间 - 字，页： 45ns
访问时间： 45ns
存储器接口： 并联
电压 - 电源： 3 V ~ 3.6 V
工作温度： -40°C ~ 125°C（TA）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨晓芳
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