型号: CY7C1361B-100BGCT
功能描述: SRAM 3.3V 9M-BIT 256K X 36 8.5NS
制造商: Cypress Semiconductor Corp
Series: -
Package: Bulk
Memory Type: Volatile
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Memory Size: 9Mb (256K x 36)
Memory Interface: Parallel
Clock Frequency: 100 MHz
Write Cycle Time - Word, Page: -
Access Time: 8.5 ns
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 119-BGA
Supplier Device Package: 119-PBGA (14x22)
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