型号: CYDM064B08-40BVXI
功能描述:
制造商: Cypress Semiconductor
存储器类型： 易失
存储器格式： SRAM
技术： SRAM - 双端口，MoBL
存储容量： 64Kb （8K x 8）
写周期时间 - 字，页： 40ns
访问时间： 40ns
存储器接口： 并联
电压 - 电源： 1.7 V ~ 1.9 V，2.4 V ~ 2.6 V，3 V ~ 3.6 V
工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 100-VFBGA
供应商器件封装： 100-VFBGA（6x6）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：蔡小姐
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