型号: CYT5551HCD
功能描述: 两极晶体管 - BJT Small Signal Dual NPN Hi Volt
制造商: Central Semiconductor
配置： Dual
晶体管极性： NPN
集电极—基极电压 VCBO： 180 V
集电极—发射极最大电压 VCEO： 160 V
发射极 - 基极电压 VEBO： 6 V
集电极—射极饱和电压： 0.2 V
增益带宽产品fT： 100 MHz
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： SOT-228
商标： Central Semiconductor
集电极连续电流： 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min： 30
直流电流增益 hFE 最大值： 250
最大功率耗散： 2 W
最小工作温度： - 65 C
封装： Reel
系列： CYT5551HCD
工厂包装数量： 1000
ROHS： 无铅
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