型号: D1203UK
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 30W-12.5V-175MHz SE
制造商: Semelab / TT Electronics
制造商: TT Electronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 30 A
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
增益: 10 dB
输出功率: 30 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DM
配置: Single
高度: 6.6 mm
长度: 24.76 mm
工作频率: 175 MHz
类型: RF Power MOSFET
宽度: 12.7 mm
商标: Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散: 117 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V to 7 V
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13823793399
Q Q:
联系人：廖先生，连敏妹
电话：18898775818
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18317142458
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：胡生
电话：13641430240
Q Q:
联系人：陈先生
电话：15361557480
Q Q:
