型号: D2004UK
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz PP
制造商: Semelab / TT Electronics
制造商: TT Electronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 2 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
增益: 10 dB
输出功率: 10 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DK
配置: Dual
工作频率: 1 GHz
类型: RF Power MOSFET
商标: Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散: 58 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V to 7 V
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13631261606
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13066809747
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：苏晓槟
电话：15013660013
Q Q:
联系人：蔡冬冬
电话：13790486395
Q Q:
