型号: D2009UK
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz PP
制造商: Semelab / TT Electronics
制造商: TT Electronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 2 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
增益: 10 dB
输出功率: 10 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DQ
配置: Dual
工作频率: 1 GHz
类型: RF Power MOSFET
商标: Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散: 58 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V to 7 V
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