型号: D2014UK
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-1GHz SE
制造商: Semelab / TT Electronics
制造商: TT Electronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 1 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
增益: 13 dB
输出功率: 2.5 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-171-6
配置: Single
工作频率: 500 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散: 17.5 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V to 7 V
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：吴先生
电话：13975536999
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13916909260
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：苏生
电话：14707548027
Q Q:
联系人：蔡
电话：13249556623
Q Q:
