型号: D2089UK
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 1W-28V-2GHz SE
制造商: Semelab / TT Electronics
制造商: TT Electronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 1 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
增益: 20 dB
输出功率: 1 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: E16
配置: Single
工作频率: 2 GHz
类型: RF Power MOSFET
商标: Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散: 4 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 20
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V to 7 V
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：钱先生，吴小姐，张先生，朱先生
电话：17788723678
Q Q:
联系人：张顺方
电话：15099977019
Q Q:
联系人：王先生
电话：15220255517
Q Q:
