型号:  DD82S10K

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  BG-PB20-1

RoHS：  N

类型：  DiscreteSemiconductorModule

Vr - 反向电压：  1000V

安装风格：  ScrewMount

封装：  Tray

输出电流：  150A

栅极触发电流-Igt：  40mA

RoHS compliant：  yes

Packing Type：  TRAY

Moisture Level：  NA

Configuration：  Fast Diodes

VDRM / VRRM [V]：  1000.0

IFSM / ITSM [A] (@10ms, Tvj max)：  1900.0

VDRM/ VRRM (V)：  1000.0 V

Housing：  PowerBLOCK 20 mm

rT [mΩ] (@Tvj max) max：  1.7

Tvj [°C] max：  150.0

IFAVM/TC / ITAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)：  81/100

VT0 [V] (@Tvj max) max：  1.0

∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)：  18.1

RthJC [K/W] (@180° el sin) max：  0.47

RthJC [K/W] (@180° el sin) max：  0.47

IFAVM/TC / ITAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)：  81/100

IFSM / ITSM：  1900.0A

IFAVM / TC / ITAVM / TC：  81/100 (180° el sin) A/°C

rT [mΩ] (@Tvj max) max：  1.7

Tvj [°C] max：  150.0

IFSM / ITSM [A] (@10ms, Tvj max)：  1900.0

VT0 [V] (@Tvj max) max：  1.0

∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)：  18.1

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs