型号:  DDTC115GUA-7-F

功能描述:  双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  双极晶体管 - 预偏置

RoHS:  是

配置:  Single

晶体管极性:  NPN

典型输入电阻器:  100 kOhms

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-323-3

直流集电极/Base Gain hfe Min:  82

集电极—发射极最大电压 VCEO:  50 V

集电极连续电流:  0.1 A

峰值直流集电极电流:  100 mA

Pd-功率耗散:  200 mW

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  DDTC115

封装:  Reel

直流电流增益 hFE 最大值:  600

发射极 - 基极电压 VEBO:  5 V

高度:  1 mm

长度:  2.2 mm

类型:  NPN Pre-Biased Small Signal SOT-323 Surface Mount Transistor

宽度:  1.35 mm

商标:  Diodes Incorporated

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

单位重量:  5 mg