型号: DF11MR12W1M1B11BPSA1
功能描述: MOSFET MOD 1200V 50A
制造商: Infineon Technologies
包装: 托盘
系列: CoolSiC™
零件状态: 有源
FET 类型: 2 N-通道（双）
FET 功能: 碳化硅 （SiC）
漏源电压（Vdss）: 1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 50A（Tj）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 22.5 毫欧 @ 50A，15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5.55V @ 20mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 124nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3680pF @ 800V
功率 - 最大值: 20mW
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: AG-EASY1BM-2
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：林秋云
电话：18501616159
Q Q:
联系人：陈俊光
电话：18824233355
Q Q:
联系人：唐先生
电话：18126336207
Q Q:
