型号: DF200R12KE3
功能描述: IGBT 模块 1200V 200A DUAL
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 否
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.7 V
在25 C的连续集电极电流: 200 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 1.04 kW
封装 / 箱体: IS5a ( 62 mm )-5
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 30.9 mm
长度: 106.4 mm
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: DF200R12KE3HOSA1 SP000100741
单位重量: 340 g
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：贾敏
电话：15338888199
Q Q:
联系人：张先生
Q Q:
联系人：谢小姐
电话：19849363771
Q Q:
