型号: DF23MR12W1M1B11BPSA1
功能描述: MOSFET MOD 1200V 25A
制造商: Infineon Technologies
包装: 托盘
系列: CoolSiC™
零件状态: 有源
FET 类型: 2 N-通道（双）
FET 功能: 碳化硅 （SiC）
漏源电压（Vdss）: 1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 25A（Tj）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 45 毫欧 @ 25A，15V（标准）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5.55V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 62nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1840pF @ 800V
功率 - 最大值: 20mW
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: AG-EASY1BM-2
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