型号: DF5A5.6JE(TE85L,F)
功能描述: ESD Diodes 5.6V 0.1W 4x Common Anode ESV
制造商: Toshiba
二极管配置: 共阳极
额定齐纳电压: 5.6V
安装类型: 表面贴装
每片芯片元件数目: 4
最大功率耗散: 100 mW
封装类型: ESV
齐纳类型: 静电放电抑制器
引脚数目: 5
测试电流: 5mA
最大齐纳阻抗: 400hms
最大反向漏电流: 1µA
长度: 1.6mm
尺寸: 1.6 x 1.2 x 0.55mm
宽度: 1.2mm
最高工作温度: +150 °C
高度: 0.55mm
最低工作温度: 150 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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