型号: DF5A5.6JE(TE85L,F)
功能描述: ESD Diodes 5.6V 0.1W 4x Common Anode ESV
制造商: Toshiba
二极管配置： 共阳极
额定齐纳电压： 5.6V
安装类型： 表面贴装
每片芯片元件数目： 4
最大功率耗散： 100 mW
封装类型： ESV
齐纳类型： 静电放电抑制器
引脚数目： 5
测试电流： 5mA
最大齐纳阻抗： 400hms
最大反向漏电流： 1µA
长度： 1.6mm
尺寸： 1.6 x 1.2 x 0.55mm
宽度： 1.2mm
最高工作温度： +150 °C
高度： 0.55mm
最低工作温度： 150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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