型号: DGD2118S8-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
驱动配置： 高压侧
通道类型： 单路
驱动器数： 1
栅极类型： IGBT，N 沟道 MOSFET
电压-电源： 10 V ~ 20 V
逻辑电压 -VIL，VIH： 6V，9.5V
电流-峰值输出（灌入，拉出）： 290mA，600mA
输入类型： 非反相
高压侧电压-最大值（自举）： 600V
上升/下降时间（典型值）： 75ns，35ns
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SO
无铅情况/RoHs： 否
联系人：吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13360063783
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：龚先生
电话：13510177715
Q Q:
联系人：杨
电话：13692115255
Q Q:
联系人：吴
电话：13424180839
Q Q:
