型号: DGD2118S8-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
驱动配置： 高压侧
通道类型： 单路
驱动器数： 1
栅极类型： IGBT，N 沟道 MOSFET
电压-电源： 10 V ~ 20 V
逻辑电压 -VIL，VIH： 6V，9.5V
电流-峰值输出（灌入，拉出）： 290mA，600mA
输入类型： 非反相
高压侧电压-最大值（自举）： 600V
上升/下降时间（典型值）： 75ns，35ns
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SO
无铅情况/RoHs： 否
联系人：吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：陈宇婷
电话：18702016302
Q Q:
联系人：孙先生
电话：15724854179
Q Q:
联系人：苏小姐
电话：13688820728
Q Q:
