型号: DGD2304S8-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
驱动配置： 半桥
通道类型： 独立式
驱动器数： 2
栅极类型： IGBT，N 沟道 MOSFET
电压-电源： 10 V ~ 20 V
逻辑电压 -VIL，VIH： 0.7V，2.3V
电流-峰值输出（灌入，拉出）： 290mA，600mA
输入类型： 非反相
高压侧电压-最大值（自举）： 600V
上升/下降时间（典型值）： 70ns，35ns
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SO
无铅情况/RoHs： 否
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李艳丽
电话：022-87892512
Q Q:
联系人：汤月凤，邱苏芬
电话：13924654970
Q Q:
联系人：吴先生
Q Q:
