型号: DGTD65T50S1PT
功能描述: IGBT 晶体管 IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: IGBT 晶体管
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.85 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
Pd-功率耗散: 375 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 100 A
商标: Diodes Incorporated
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
单位重量: 5.600 g
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:Alien
联系人:朱小姐
电话:13725570869
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:陈晓玲
电话:18126117392
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:李磊
电话:13916879944
Q Q:
联系人:陈
电话:13682256111
联系人:谢小姐,朱小姐,曾小姐
电话:17724712767