型号: DIIDMG1016V7
功能描述: Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
制造商: diodes, inc
包装: 6SOT-563
渠道类型: N|P
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 20 V
最大连续漏极电流: 0.87@N Channel|0.64@P Channel A
RDS -于: 400@4.5V@N Channel|700@4.5V@P Channel mOhm
最大门源电压: ±6 V
典型导通延迟时间: 5.1 ns
典型上升时间: 7.4@N Channel|8.1@P Channel ns
典型关闭延迟时间: 26.7@N Channel|28.4@P Channel ns
典型下降时间: 12.3@N Channel|20.7@P Channel ns
工作温度: -55 to 150 °C
安装: Surface Mount
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