型号: DL2M100N5
功能描述: DL2M100N5, MOSFET Transistor,
制造商: DAWIN Electronics
类别： Power MOSFET
通道模式： Depletion
渠道类型： N
配置： Dual
外形尺寸： 66 x 34 x 8mm
身高： 8mm
长度： 66mm
最大连续漏极电流： 100 A
最大漏源电阻： 0.06 Ω
最大漏源电压： 500 V
最大门源电压： ±20 V
最高工作温度： +150 °C
最大功率耗散： 1000 W
最低工作温度： -40 °C
安装类型： Screw
每个芯片的元件数： 2
包装类型： 6DM-2
引脚数： 6
典型栅极电荷@ VGS： 250 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS： 12000 pF V @ 25
典型关闭延迟时间： 575 ns
典型导通延迟时间： 220 ns
宽度： 34mm
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