型号:  DM5410J/883

功能描述:   NAND Gate 3-Element 3-IN Bipolar 14-Pin CDIP

制造商:  National Semiconductor

加工技术：  Bipolar

安装：  Through Hole

逻辑系列：  TTL

包装宽度：  7.87(Max)

PCB：  14

筛选等级：  Military

元素输出数：  1

典型工作电源电压：  5

欧盟RoHS指令：  Not Compliant

每个芯片的元件数：  3

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  CDIP

标准包装名称：  CDIP

最高工作温度：  125

元素输入：  3-IN

最大高电平输出电流：  -0.4

包装长度：  19.94(Max)

最低工作电源电压：  4.5

引脚数：  14

包装高度：  4.57(Max)

逻辑功能：  NAND

最大低电平输出电流：  16

最大工作电源电压：  5.5

铅形状：  Through Hole

技术：  Bipolar

逻辑功能：  NAND

工作温度范围：  -55C to 125C

包装类型：  CDIP

元件数：  3

高电平输出电流：  -0.4 mA

工作温度分类：  Military

输入数：  3-IN

输出数：  1

低电平输出电流：  16 mA

弧度硬化：  No

工作电源电压（典型值）：  5 V

工作电源电压（最小值）：  4.5 V

工作电源电压（最大值）：  5.5 V