型号: DMB54D0UV-7
功能描述: MOSFET PNP/NMOS
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-563-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel, PNP
Vds-漏源极击穿电压: 50 V
Id-连续漏极电流: 160 mA
Rds On-漏源导通电阻: 3.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 700 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
产品: MOSFET Small Signal
系列: DMB54D
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值: 180 mS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
单位重量: 3 mg
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