型号:  DMC1028UFDB-7

功能描述:  MOSFET N-Ch 12VDss 8Vgss P-Ch 8Vdss 8Vgss

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DFN1612-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  12 V, 20 V

Id-连续漏极电流:  6 A, 3.4 A

Rds On-漏源导通电阻:  17 mOhms, 55 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  400 mV, 1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  18.5 nC, 11.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.36 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  DMC1028

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  3.7 ns, 12.7 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  9.4 ns, 3.6 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  15.7 ns, 20.8 ns

典型接通延迟时间:  4.6 ns, 3.5 ns

单位重量:  6.500 mg