型号:  DMC1229UFDB-7

功能描述:  MOSFET Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DFN2020-B-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  12 V

Id-连续漏极电流:  3.8 A, 5.6 A

Rds On-漏源导通电阻:  29 mOhms, 61 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  10.5 nC, 10.7 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.4 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  DMC1229

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  5.5 S, 6.5 S

下降时间:  4.1 ns, 26.4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  10.5 ns, 11.5 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  16.6 ns, 27.8 ns

典型接通延迟时间:  5 ns, 5.7 ns