型号:  DMC25D1UVT-7

功能描述:  MOSFET 20V Enh Mode FET

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSOT-26-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  25 V, 12 V

Id-连续漏极电流:  500 mA, 3.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  4 Ohms, 100 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  650 mV, 350 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  900 pC, 24.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.3 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  DMC25

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  4.3 ns, 6.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  1.4 ns, 2.7 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  5.7 ns, 9.8 ns

典型接通延迟时间:  2.5 ns, 1.2 ns