型号:  DMC3025LSDQ-13

功能描述:  MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  8.5 A, 5.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  20 mOhms, 45 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V, 2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  9.8 nC, 10.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.5 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  8 S, 5 S

下降时间:  5.8 ns, 12.4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  4.2 ns, 4.9 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  16.6 ns, 28.4 ns

典型接通延迟时间:  3.9 ns, 6.8 ns

单位重量:  8 mg