型号:  DMC31D5UDJ-7

功能描述:  MOSFET 30V N & P Enh FET Low RDSon 22.2pF

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-963-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  220 mA, 200 mA

Rds On-漏源导通电阻:  2.3 Ohms, 5.1 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Qg-栅极电荷:  380 pC, 350 pC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  350 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  DMC31

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  7.5 ns, 8.7 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  2.2 ns, 5.2 ns

工厂包装数量:  10000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  21 ns, 18.8 ns

典型接通延迟时间:  3.2 ns, 3.5 ns