型号: DMC67D8UFDBQ-13
功能描述: MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
制造商: Diodes Incorporated
包装: 标准卷带
系列: 汽车级，AEC-Q101
零件状态: 有源
FET 类型: N 和 P 沟道互补型
FET 功能: 标准
漏源电压（Vdss）: 60V，20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 390mA（Ta），2.9A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 0.4pC，7.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 41pF，443pF @ 25V，16V
功率 - 最大值: 580mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: U-DFN2020-6（B 类）
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