型号: DMG1029SVQ-7
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA,360mA 漏源电压（Vdss）：60V,-60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.7Ω @ 500mA, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：450mW 类型：N沟道和P沟道
制造商: DIODES(美台)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V,-60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 500mA,360mA
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 1.7Ω @ 500mA, 10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 450mW
类型: N沟道和P沟道
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