型号:  DMG2305UXQ-7

功能描述:  

制造商:  Diodes Incorporated

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  4.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  1.8V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  900mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  10.2nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：  ±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  808pF @ 15V

功率耗散（最大值）：  1.4W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  52 毫欧 @ 4.2A、 4.5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  SOT-23

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

Id-连续漏极电流：  4.2A

Pd-功率耗散：  1.4W

Qg-栅极电荷：  10.2nC

Rds On-漏源导通电阻：  52mOhms

Vds-漏源极击穿电压：  20V

Vgs - 栅极-源极电压：  -4.5V

Vgs th-栅源极阈值电压：  500mV

上升时间：  13.7ns

下降时间：  34.7ns

典型关闭延迟时间：  79.3ns

典型接通延迟时间：  10.8ns

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  SOT-23-3

晶体管极性：  P-Channel

晶体管类型：  1P-Channel

最大工作温度：  +150C

最小工作温度：  -55C

系列：  DMG230

资格：  AEC-Q101

通道数量：  1Channel

通道模式：  Enhancement

配置：  Single

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs