型号: DMG3N60SJ3
功能描述: MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-251-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 2.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 12.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 41 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 28 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 22 ns
工厂包装数量: 75
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 10.6 ns
单位重量: 340 mg
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