型号: DMG4N60SK3-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 3.7A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 14.3nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 532pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 48W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 2.3 欧姆 @ 2A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 600V
无铅情况/RoHs： 否
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