型号:  DMG7401SFG-13

功能描述:  MOSFET

制造商:  Diodes Incorporated

系列：  DMG

单位重量：  72 mg

最大工作温度：  + 150 C

最小工作温度：  - 55 C

安装风格：  SMD/SMT

下降时间：  22 ns

典型接通延迟时间：  11.3 ns

上升时间：  15.4 ns

Vgs-栅极-源极电压：  ± 25 V

Pd-功率耗散：  940 mW

Id-连续漏极电流：  - 9.8 A

Vds-漏源极击穿电压：  - 30 V

晶体管类型：  1 P-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：  9 mOhms

通道模式：  Enhancement

晶体管极性：  P-Channel

Qg-栅极电荷：  58 nC

Vgsth-栅源极阈值电压：  - 3 V

典型关闭延迟时间：  38 ns

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  9.8A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4.5V，20V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  58nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2987pF @ 15V

Vgs（最大值）：  ±25V

功率耗散（最大值）：  940mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  11 毫欧 @ 12A，20V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  8-PowerWDFN

封装形式Package：  PowerDI

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  9.8A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs