型号:  DMG8601UFG-7

功能描述:  MOSFET LDO POSITIVE REG 2.7V/1A

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  U-DFN3030-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  6.1 A

Rds On-漏源导通电阻:  17 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  350 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Qg-栅极电荷:  8.8 nC, 8.8 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  920 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  DMG8601

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  234 ns, 234 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  78 ns, 78 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  562 ns, 562 ns

典型接通延迟时间:  53 ns, 53 ns

单位重量:  12 mg