型号: DMG9N65CTI
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 9A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 39nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2310pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 13W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.3 欧姆 @ 4.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3全封装，隔离接片
封装形式Package： ITO-220AB
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 650V
连续漏极电流ID： 9A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：覃S
电话：17722618128
Q Q:
联系人：曾美禾
电话：13641488418
Q Q:
联系人：李木钦
电话：15919889984
Q Q:
