型号: DMJ70H600SH3
功能描述: MOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V
制造商: Diodes Inc. / Pericom
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-251-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 700 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 18.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 113 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 23 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 22 ns
工厂包装数量: 75
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 85 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
单位重量: 330 mg
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