型号: DMMT5551
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
配置: Dual
晶体管极性: NPN
集电极—基极电压 VCBO: 180 V
集电极—发射极最大电压 VCEO: 160 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
最大直流电集电极电流: 0.2 A
增益带宽产品fT: 300 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-26-6
商标: Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80 at 1 mA at 5 V, 80 at 10 mA at 5 V, 30 at 50 mA at 5 V
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 300 mW
系列: DMMT5551
联系人：蔡升航
电话：13202105858
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：杨丹妮
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联系人：郑小姐
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联系人：陈晓玲
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Q Q:
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Q Q:
联系人：庄梓璇
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Q Q:
