型号:  DMN1019UVT-7

功能描述:  MOSFET 12V Enh Mode FET

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSOT-26-6

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  12 V

Id-连续漏极电流:  10.7 A

Rds On-漏源导通电阻:  10 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  350 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V

Qg-栅极电荷:  50.4 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.73 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  DMN1019

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  11.6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3.7 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  32.2 ns

典型接通延迟时间:  4.7 ns

单位重量:  13 mg