DMN2011UFDF-7规格参数_DMN2011UFDF-7全国代理商/分销商

型号: DMN2011UFDF-7
功能描述: DiodesZetex DMN2011UFDF 系列 N沟道 MOSFET DMN2011UFDF-7, 14.2 A, Vds=20 V, 6引脚 U-DFN2020封装
制造商: DiodesZetex
通道类型： N
最大连续漏极电流： 14.2 A
最大漏源电压： 20 V
最大漏源电阻值： 35 m0hms
最大栅阈值电压： 1V
最小栅阈值电压： 0.4V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： U-DFN2020
安装类型：表面贴装
晶体管配置：单
引脚数目： 6
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET，切换 MOSFET
最大功率耗散： 2.1 W
最高工作温度： +150 °C
最低工作温度： -55 °C
长度： 2.05mm
每片芯片元件数目： 1
高度： 0.58mm
正向二极管电压： 1.2V
尺寸： 2.05 x 2.05 x 0.58mm
典型栅极电荷@Vgs： 56 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 2248 pF @ 10 V
典型关断延迟时间： 21.6 ns
典型接通延迟时间： 3.6 ns
系列： DMN2011uFDF
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs