型号: DMN2022UNS-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能： 标准
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 10.7A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 10.8 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 20.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1870pF @ 10V
功率 - 最大值： 1.2W
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerVDFN
供应商器件封装： PowerDI3333-8
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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