型号:  DMN2075UDW-7

功能描述:  MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363,3K

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  2.8 A

Rds On-漏源导通电阻:  48 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  7 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  500 mW (1/2 W)

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  DMN2075

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  13 S

下降时间:  6.7 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  9.8 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  28.1 ns

典型接通延迟时间:  7.4 ns

单位重量:  6 mg