型号: DMN2400UFB4-7B
功能描述: Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin DFN-H4 T/R
制造商: Diodes Inc
最大门源电压： ±12
安装： Surface Mount
包装宽度： 1
PCB： 3
最大功率耗散： 0.47
最大漏源电压： 20
欧盟RoHS指令： Compliant
最大漏源电阻： 550@4.5V
每个芯片的元件数： 1
最低工作温度： -55
供应商封装形式： DFN-H4
标准包装名称： DFN
最高工作温度： 150
渠道类型： N
包装长度： 0.6
引脚数： 3
通道模式： Enhancement
包装高度： 0.35(Max)
最大连续漏极电流： 0.75
封装： Tape and Reel
铅形状： No Lead
连续漏极电流： 0.75 A
栅源电压（最大值）： �12 V
工作温度范围： -55C to 150C
极性： N
类型： Small Signal
元件数： 1
工作温度分类： Military
漏源导通电压： 20 V
弧度硬化： No
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