型号:  DMN2500UFB4-7

功能描述:  MOSFET

制造商:  Diodes Incorporated

系列：  DMN

最大工作温度：  + 150 C

最小工作温度：  - 55 C

安装风格：  SMD/SMT

配置：  Single

Vgs-栅极-源极电压：  6 V

Pd-功率耗散：  0.46 W

通道数量：  1 Channel

Id-连续漏极电流：  810 mA

Vds-漏源极击穿电压：  20 V

晶体管类型：  1 N-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：  700 mOhms

通道模式：  Enhancement

晶体管极性：  N-Channel

Qg-栅极电荷：  736.6 pC

Vgsth-栅源极阈值电压：  1 V

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  810mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  1.8V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  0.74nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  60.67pF @ 16V

Vgs（最大值）：  ±6V

功率耗散（最大值）：  460mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  400 毫欧 @ 600mA，4.5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  3-XFDFN

封装形式Package：  DFN

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  20V

连续漏极电流ID：  1A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs