型号: DMN2990UFB-7B
功能描述: MOSFET MOSFET
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: X1-DFN1006-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 780 mA
Rds On-漏源导通电阻: 900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
Qg-栅极电荷: 0.41 nC
Pd-功率耗散: 0.92 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Diodes Incorporated
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 10000
子类别: MOSFETs
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